Guide: ASUS Z170 BIOS Walkthrough - DRAM Timing Control

Σελίδα 5 από 9: DRAM Timing Control

DRAM Timing Control

Στη συνέχεια έρχονται οι επιλογές που σχετίζονται με τις μνήμες μας και είναι διαθέσιμες από το μενού DRAM Timing Control από το tab Extreme Tweaker.

Memory Presets: Περιλαμβάνει «έτοιμες» τιμές ανάλογα με τον τύπο των IC των μνημών για γρήγορο overclocking χωρίς να πειράξουμε τις παρακάτω τιμές.

Memory Tweak: Mode 1. Σταθεροποιεί το overclocking των μνημών αυξάνοντας ορισμένα ρεύματα (SA, IO) χαλαρώνοντας ορισμένα τρίτα timings. Mode 2. 

Ακολουθούν τα primary timings των μνημών:

Αρχικά υπάρχουν τα τέσσερα (ή τρία στα Skylake) πρωτεύοντα timings, CL, tRCD, tRP, tRAS, tRFC, και μετά συνεχίζουμε με τα δεύτερα και τρίτα που διαφέρουν από κιτ σε κιτ. Με τον όρο timing αναφερόμαστε στις λειτουργίες που γίνονται στο εσωτερικό των RAM μας και στην ουσία ελέγχουν τον «χρόνο» (timing) στον οποίο η μνήμη θα κάνει μια συγκεκριμένη λειτουργία. Η μνήμη μπορεί να παρομοιαστεί με ένα πίνακα που περιέχει γραμμές και στήλες. Σε κάθε θεωρητικό «κουτάκι» βρίσκονται τα δεδομένα που όπως είπαμε και στη θεωρία μας, έχουν τη μορφή bit, δηλαδή ηλεκτρικού ρεύματος. Κάθε ένα από αυτά τα κουτάκια έχουν μια συγκεκριμένη διεύθυνση στην οποία έχει πρόσβαση το σύστημα (A στήλη, 1η γραμμή). Η διεύθυνση αποτελείται το πολύ από 64 bit καθώς αυτό το εύρος έχουν όλοι οι τωρινοί επεξεργαστές. Κατά τη διαδικασία εκτέλεσης μιας εντολής όπως για την ανάγνωση ή την εγγραφή δεδομένων στη μνήμη, ενεργοποιείται πρώτα η γραμμή (row) και αμέσως μετά η στήλη (column). Μια γρήγορη μνήμη διακρίνεται από  το πόσο χαμηλά (ή «σφικτά») timings έχει εκτός από τη συχνότητα λειτουργίας της, άρα πόσο γρήγορα μπορεί να μεταβεί από τη μια διεύθυνση στην άλλη. Εκτός από αυτά τα στοιχεία, υπάρχουν κι άλλα timings που ελέγχουν διάφορα άλλα σημεία των μνημών. Ας δούμε τι ακριβώς κάνουν τα κύρια timings μιας μνήμης:

CAS Latency – Ονομάζεται και CL και αναφέρεται στους κύκλους ρολογιού που απαιτούνται από τη στιγμή που δίνεται η εντολή από τον ελεγκτή των μνημών για την εύρεση ενός δεδομένου από μια συγκεκριμένη διεύθυνση της μνήμης, μέχρι την επιστροφή της σε αυτόν. Το latency μετριέται σε nanoseconds και μειώνεται όσο αυξάνουμε τη συχνότητα λειτουργίας.

tRCD (Row Address to Column Address) – Ο χρόνος που απαιτείται για τη μετάβαση από τη RAS στη CAS. Ο χρόνος που χρειάζεται από την ενεργοποίηση της γραμμής (RAS) και της στήλης (CAS) στην οποία έχουν αποθηκευτεί τα δεδομένα στη μνήμη. Φανταστείτε τη μνήμη σαν ένα φύλλο excel στο οποίο τα «δεδομένα» μας βρίσκονται σε κάποια από τα κελιά. Το tRCD είναι ο χρόνος που απαιτείται για το «άνοιγμα» μιας γραμμής και την ανάγνωση των δεδομένων σε αυτή και είναι η διαδικασία που συμβαίνει ανάμεσα από την εντολή ενεργοποίησης (CAS) μέχρι την ανάγνωση ή την εγγραφή της εντολής.

tRP (Row Precharge) – Η «προφόρτιση» του RAS. Ο χρόνος που απαιτείται από την απενεργοποίηση της πρόσβασης σε μια γραμμή δεδομένων μέχρι την έναρξη της πρόσβασης σε κάποια άλλη που τροφοδοτείται με την έναρξη της επόμενης εντολής που μπορεί να είναι είτε για εγγραφή είτε για ανάγνωση.          

tRAS (Row Address Strobe) – Ο χρόνος που απαιτείται από την ενεργοποίηση έως τη προ-φόρτισή της μνήμης. Είναι ο χρόνος που θα περιμένει η μνήμη μέχρι την έναρξη της επόμενης πρόσβασης σε αυτή.

CMD – Το Command Rate, που είναι ο χρόνος που χρειάζεται για να ενεργοποιηθεί ένα από τα memory chips επάνω στο stick. Οι επιλογές είναι δύο, 1T = 1 clock cycle και 2T = 2 clock cycles.

Η σελίδα περιλαμβάνει την πλήρη λίστα των timings για τι μνήμες. Εμείς στεκόμαστε στα primary timings για τις ανάγκες του εν λόγω οδηγού.