Globalfoundries: Επιταχύνουν τα σχέδια τους για τα 14nm
Αποκάλυψε την Πέμπτη η Globalfoundries περισσότερες πληροφορίες για την τις τεχνολογίες που θα χρησιμοποιήσουν ώστε να είναι η πρώτη εταιρία που θα παρουσιάσει προϊόντα στα 14nm-XM (extreme mobility) χρησιμοποιώντας τρισδιάστατα “FinFET” transistors. Με την νέα αυτή τεχνολογία η κατανάλωση ενέργειας θα περιοριστεί στο μισό σε σχέση με τα 20nm και αναμένεται να γίνει διαθέσιμη το 2014, την ίδια χρονική στιγμή που έχει ανακοινώσει και η Intel. Αποκάλυψε την Πέμπτη η Globalfoundries περισσότερες πληροφορίες για την τις τεχνολογίες που θα χρησιμοποιήσουν ώστε να είναι η πρώτη εταιρία που θα παρουσιάσει προϊόντα στα 14nm-XM (extreme mobility) χρησιμοποιώντας τρισδιάστατα “FinFET” transistors. Με την νέα αυτή τεχνολογία η κατανάλωση ενέργειας θα περιοριστεί στο μισό σε σχέση με τα 20nm και αναμένεται να γίνει διαθέσιμη το 2014, την ίδια χρονική στιγμή που έχει ανακοινώσει και η Intel.
Η 14nm-XM διαδικασία θα βασίζεται σε μια νέα αρχιτεκτονική που θα χρησιμοποιεί 14nm FinFET μαζί με 20nm-LPM για back-end-of-line (BEOL) interconnects. Με την χρήση της υπάρχουσας ώριμης τεχνολογίας των 20nm-LPM ο χρόνος παρουσίασης νέων προϊόντων μειώνεται αρκετά και υπάρχει μια πιο ομαλή μετάβαση για τους πελάτες που θέλουν να εκμεταλλευτούν τα FinFET όσο το δυνατό πιο γρήγορα. Σύμφωνα με την Globalfoundries τα 14-nm FinFETs θα έχουν 48-nm fin pitch, όσο δηλαδή πιστεύεται οτι θα έχει και η Intel.
Η αρχιτεκτονική FinFET παίρνει το κλασσικό τρανζίστορ και περιστρέφει το αγώγιμο μέρος του δημιουργώντας μία τρισδιάστατη δομή όπου το "πτερύγιο" περιβάλεται από την πύλη που ελέγχει την ροή του ρεύματος. Σημαντικό χαρακτηριστικό αυτών είναι χαμηλότερη κατανάλωση μιας και ο σχεδιασμός αυτός προσφέρει λιγότερο leakage, που μεταφράζεται σε μεγαλύτερη διάρκεια της μπαταρίας στα φορητά συστήματα ή χαμηλότερη κατανάλωση για τα σταθερά συστήματα.
Σε σύγκριση με την τωρινή τεχνολογία στα 20nm, τα 14nm-XM υπόσχονται 40% - 60% βελτίωση στην αντοχή της μπαταρίας και 20% - 55% υψηλότερες επιδόσεις ανάλογα με την τάση λειτουργίας. Τα πρώτα δοκιμαστικά δείγματα της νέας τεχνολογίας δοκιμάζονται αυτή την στιγμή στο Fab 8 στην Saratoga County της Νέας Υόρκης, ενώ τα πρώτα process design kits (PDKs) είναι ήδη διαθέσιμα.
"Έχοντας ήδη δέκα χρόνια έρευνας πάνω στα FinFET είμαστε έτοιμοι να τα βάλουμε στην παραγωγή. Πιστεύουμε οτι μπορέσουμε να ηγηθούμε στον όγκο παραγωγής FinFETs όπως είχαμε κάνει και με high-K metal gate (HKMG)" ανέφερε ο Gregg Bartlett, chief technology officer στην Globalfoundries.
Η Globalfoundries αναφέρει οτι έχει αναπτύξει έναν νέο τρόπο προσέγγισης που προσφέρει την τεχνολογία των FinFET σε χαμηλό κόστος και με βελτιστοποίηση στα θέματα ενέργειας που ταιριάζουν απόλυτα στην αγορά των SoC. Η νέα τεχνολογία 14nm-XM είναι ο ιδανικός συνδιασμός μεταξύ επιδόσεων και κατανάλωσης ενέργειας ενώ παράλληλα το μέγεθος του die και το κόστος είναι τα ελάχιστα δυνατά. Παράλληλα η νέα αυτή αρχιτεκτονική έχει σχεδιαστεί ώστε να μπορεί προσφέρει τα μέγιστα κατά τον σχεδιασμό και την παραγωγή των τσίπ και προσφέρει στους σχεδιαστές την δυνατότητα να χρησιμοποιήσουν αρκετά IP από παλιότερες γενιές.
Η 14nm-XM διαδικασία θα βασίζεται σε μια νέα αρχιτεκτονική που θα χρησιμοποιεί 14nm FinFET μαζί με 20nm-LPM για back-end-of-line (BEOL) interconnects. Με την χρήση της υπάρχουσας ώριμης τεχνολογίας των 20nm-LPM ο χρόνος παρουσίασης νέων προϊόντων μειώνεται αρκετά και υπάρχει μια πιο ομαλή μετάβαση για τους πελάτες που θέλουν να εκμεταλλευτούν τα FinFET όσο το δυνατό πιο γρήγορα. Σύμφωνα με την Globalfoundries τα 14-nm FinFETs θα έχουν 48-nm fin pitch, όσο δηλαδή πιστεύεται οτι θα έχει και η Intel.
Η αρχιτεκτονική FinFET παίρνει το κλασσικό τρανζίστορ και περιστρέφει το αγώγιμο μέρος του δημιουργώντας μία τρισδιάστατη δομή όπου το "πτερύγιο" περιβάλεται από την πύλη που ελέγχει την ροή του ρεύματος. Σημαντικό χαρακτηριστικό αυτών είναι χαμηλότερη κατανάλωση μιας και ο σχεδιασμός αυτός προσφέρει λιγότερο leakage, που μεταφράζεται σε μεγαλύτερη διάρκεια της μπαταρίας στα φορητά συστήματα ή χαμηλότερη κατανάλωση για τα σταθερά συστήματα.
Σε σύγκριση με την τωρινή τεχνολογία στα 20nm, τα 14nm-XM υπόσχονται 40% - 60% βελτίωση στην αντοχή της μπαταρίας και 20% - 55% υψηλότερες επιδόσεις ανάλογα με την τάση λειτουργίας. Τα πρώτα δοκιμαστικά δείγματα της νέας τεχνολογίας δοκιμάζονται αυτή την στιγμή στο Fab 8 στην Saratoga County της Νέας Υόρκης, ενώ τα πρώτα process design kits (PDKs) είναι ήδη διαθέσιμα.
"Έχοντας ήδη δέκα χρόνια έρευνας πάνω στα FinFET είμαστε έτοιμοι να τα βάλουμε στην παραγωγή. Πιστεύουμε οτι μπορέσουμε να ηγηθούμε στον όγκο παραγωγής FinFETs όπως είχαμε κάνει και με high-K metal gate (HKMG)" ανέφερε ο Gregg Bartlett, chief technology officer στην Globalfoundries.
Η Globalfoundries αναφέρει οτι έχει αναπτύξει έναν νέο τρόπο προσέγγισης που προσφέρει την τεχνολογία των FinFET σε χαμηλό κόστος και με βελτιστοποίηση στα θέματα ενέργειας που ταιριάζουν απόλυτα στην αγορά των SoC. Η νέα τεχνολογία 14nm-XM είναι ο ιδανικός συνδιασμός μεταξύ επιδόσεων και κατανάλωσης ενέργειας ενώ παράλληλα το μέγεθος του die και το κόστος είναι τα ελάχιστα δυνατά. Παράλληλα η νέα αυτή αρχιτεκτονική έχει σχεδιαστεί ώστε να μπορεί προσφέρει τα μέγιστα κατά τον σχεδιασμό και την παραγωγή των τσίπ και προσφέρει στους σχεδιαστές την δυνατότητα να χρησιμοποιήσουν αρκετά IP από παλιότερες γενιές.
