Guide: MSI Z170 Overclocking - Memory Overclocking

Σελίδα 3 από 3: Memory Overclocking

Memory Overclocking

Ο υπερχρονισμός των μνημών είναι λίγο πιο “tricky” καθώς εξαρτάται από τις μνήμες που έχουμε στη κατοχή μας. Εξαρτάται και από το σχετικό με τις μνήμες υποσύστημα που βρίσκεται στο εσωτερικό του επεξεργαστή, τον IMC οπότε πρακτικά εξαρτάται και από τον επεξεργαστή μας. Στην αγορά υπάρχουν τρεις διαφορετικές εταιρείες που κατασκευάζουν τα ολοκληρωμένα κυκλώματα των μνημών και από εκεί διατίθενται στις εταιρείες που κατασκευάζουν μνήμες. Οι τρεις αυτές εταιρίες είναι οι SK Hynix, Micron και Samsung, ενώ υπάρχουν και μικρότερες θυγατρικές τους όπως η SpecTek που ανήκει στη Micron. Επί της ουσίας, οι κατασκευαστές αυτοί προμηθεύουν άλλες μεγάλες εταιρείες του χώρου με τα chip μνήμης τους (IC από εδώ και στο εξής) τα οποία όπως είναι φυσικό έχουν ορισμένες αντοχές και χαρακτηριστικά. Μεγάλες κοινότητες του χώρου έχουν αρκετούς enthusiast χρήστες και hardcore overclockers που παραθέτουν τις απόψεις τους και τα αποτελέσματα των δοκιμών τους με συγκεκριμένα kit που έχουν στη κατοχή τους κάνοντας έτσι την αγορά κάποιου πιο εύκολη υπόθεση.

Δεν υπάρχει κάποια ξεκάθαρη απάντηση στην ερώτηση «ποιος έχει τα καλύτερα IC» καθώς όλα σε αυτή τη γενιά έχουν κάποια περιθώρια για tweaking και ειδικά στη πλατφόρμα των Skylake ενώ όλα κάνουν για 24/7 χρήση. Οι πυκνότητες των DDR4 αυξάνονται συνεχώς ενώ αυξάνονται και οι χρονισμοί τους με τον καιρό και με κάθε νέο revision των τριών παραπάνω εταιριών. Για παράδειγμα, τη στιγμή που γράφονται αυτές οι γραμμές, DIMM των 8GB που τρέχουν στα 3733 με CL17 φέρουν τα πιο πρόσφατα Samsung IC της αγοράς, τα B-Die. Η πυκνότητά τους ανά chip ξεφεύγει από τα γνωστά 512MB και ανέρχεται σε 1GB και 2GB, και τα δύο για single sided υλοποιήσεις.

Περνάμε και πάλι στο BIOS και επικεντρωνόμαστε στις επιλογές που σχετίζονται με τις μνήμες μας. Καλό είναι να έχουμε τα specs των μνημών μας εύκαιρα, όπως τα πρώτα timings, ή έστω ένα screenshot που θα τα βλέπουμε από ένα άλλο PC. Θυμηθείτε, η προετοιμασία είναι το κλειδί για την επιτυχία! Οι επιλογές που μας ενδιαφέρουν είναι η DRAM Frequency κάτω από το μενού OC και οι τάσεις που σχετίζονται με τη μνήμη (DRAM Voltage). Η πολυπλοκότητα έγκειται στο γεγονός πως θα πρέπει να έχουμε υπόψιν και δύο επιπλέον τάσεις του επεξεργαστή για τον IMC. Οι τάσεις αυτές είναι το VCCIO και το VCCSA και προτείνεται η αύξησή τους μέχρι τα 1.15 και 1.20V, όπως τονίζει και η Intel.

Η διαδικασία που ακολουθούμε με τις μνήμες είναι:

1. Αύξηση του διαιρέτη όσο μας επιτρέπει η μητρική με το strap των 100MHz ή των 133MHz τη φορά.

2. Η μείωση των τριών βασικών timings τους όσο μας επιτρέπει η εργοστασιακή τάση. (Θυμηθείτε tRCD & tRP είναι ένα timing στους Skylake).

3. Ο συνδυασμός των 1-2 και η αύξηση της τάσης σε ασφαλή πλαίσια για την υποστήριξη του υπερχρονισμού.

4. Ο έλεγχος των μνημών με κάποιο πρόγραμμα όπως το Memtest86+ καθώς και προγραμμάτων καθημερινής χρήσης.

Εάν γνωρίζουμε τις δυνατότητες των IC που χρησιμοποιούν οι μνήμες μας, τότε αυξάνοντας τα timings (aka χαλαρώνοντας τα), τη συχνότητα και τη τάση μπορεί να έρθουμε αντιμέτωποι με πολύ αξιόλογα αποτελέσματα. Στη συνέχεια θα παρουσιάσουμε μερικά παραδείγματα ρυθμίσεων για την MSI Z170 μητρική σας και διάφορα kit μνημών.

• Μνήμες με Micron IC δύσκολα θα ξεπεράσουν τα 3200MHz σε αέρα και για καθημερινή χρήση, όμως μπορούν να λειτουργήσουν με CL 12, tRCD 12, tRD 12, tRFC 28 και σε συχνότητα 2800MHz – 2933MHz σε ορισμένες περιπτώσεις με τάση 1,4-1,45V.

• Τα SK Hynix MFR μπορούν να λειτουργήσουν απρόσκοπτα σε σχετικά υψηλές συχνότητες και είναι τα μοναδικά αξιόλογα IC που βρίσκονται στη παραγωγή και μπορεί να τα αποκτήσει κάποιος. Τα AFR είναι ακόμα καλύτερα στον αέρα όμως η μαζική παραγωγή τους δεν έχει ακόμα ξεκινήσει. Τα συγκεκριμένα θα έρχονται και σε μεγαλύτερες πυκνότητες και χρονισμούς και προτείνεται η χρήση τους στη πλατφόρμα Skylake, ενώ ανταγωνίζονται τα B-Die της Samsung σε πολλούς τομείς.

• Τα D-Dieʼs της Samsung θεωρούνται mainstream για το Z170 μιας και εμφανίστηκαν μαζί με το X99 Chipset, τη πρώτη DDR4 πλατφόρμα, και ενδέχεται να τα συναντήσετε σε μνήμες των 3400 C16. Σίγουρα όμως υπάρχουν καλύτερες προτάσεις στην αγορά αυτή τη στιγμή, όπως τα E-Die τα οποία εμφανίζονται σε μοντέλα άνω των 3000MHz όπως ορισμένες Trident-Z (3200 CL16). Τα συγκεκριμένα όμως δε μπορούν να χαμηλώσουν αρκετά τα tRFC & tRD όπως αυτά που θα δούμε στη συνέχεια. Τα B-Die της Samsung είναι ότι πιο καλό μπορεί να αγοράσει κάποιος σήμερα και τα tRFC/tRD μπορούν να ρυθμιστούν παράλληλα με το CL για αυξημένες επιδόσεις. Αρκετά κομμάτια έχουν ήδη κάνει την εμφάνισή τους σε καταστήματα της Ευρώπης.

Οι περισσότερες DDR4 μνήμες έχουν περιθώρια μείωσης του CL από την εργοστασιακή ρύθμιση και ταυτόχρονα αύξησης της συχνότητας λειτουργίας κάτι που μεταφράζεται αυτόματα σε μεγαλύτερο bandwidth μεταξύ CPU και RAM. Τα Micron όπως και τα πιο πρόσφατα της Samsung μπορούν να έχουν ίδιο timing στα CL, tRFC και tRD και σχεδόν όλες είναι ικανές να «πέσουν» στα 12-12-12 με μια μικρή αύξηση της τάσης έως 1.40V.