Hynix 40nm DDR3 Memories @ 2133Mbps !
H Ηynix πρόσφατα κατάφερε να υλοποιήσει 1GB DIMM τύπου DDR3 με τεχνολογία κατασκευής 40nm ! H μέγιστη ταχύτητα που μπορεί να προσφέρει το συγκεκριμένο chip είναι 2133Mbps και έχει τη δυνατότητα να λειτουργήσει σε ένα μεγάλο εύρος Voltage. Η μαζική παραγωγή του 1G DDR3 Ram με Hynix 40nm chips, αναμένεται να ξεκινήσει το Q3 2009.
H Ηynix πρόσφατα κατάφερε να υλοποιήσει 1GB DIMM τύπου DDR3 με τεχνολογία κατασκευής 40nm ! H μέγιστη ταχύτητα που μπορεί να προσφέρει το συγκεκριμένο chip είναι 2133Mbps και έχει τη δυνατότητα να λειτουργήσει σε ένα μεγάλο εύρος Voltage. Η μαζική παραγωγή του 1G DDR3 Ram με Hynix 40nm chips, αναμένεται να ξεκινήσει το Q3 2009.
Η συνολική παραγωγή 40nm 1GΒ DDR3 DRAM της Hynix, έχει ήδη ξεπεράσει κατά 50% την τρέχουσα τεχνολογία κατασκευής των 55nm και από ότι φαίνεται συνεχίζει απροβλημάτιστα την άνοδο. Με την εφαρμογή της τεχνολογίας "τρισδιάστατη κρυσταλλολυχνία" (κρυσταλλολυχνία - ευρέως γνωστή με την ονομασία transistor), το προϊόν μειώνει όχι μόνο την ανεπιθύμητη διαρροή ρεύματος αλλά και την συνολική κατανάλωση.
Το καινούριο 1G memory chip, ανταποκρίνεται πλήρως στα DDR3 DRAM specs και θα εξαταστεί σύντομα από την Intel για να αποκτήσει πιστοποίηση. Η Hynix όμως δεν είναι πρόθυμη να σταματήσει εδώ, αφού θα επεκτύνει ακόμα περισσότερο την 40nm DDR3 τεχνολογία - υψηλής ταχύτητας, χαμηλής κατανάλωσης - και σε άλλα προϊόντα όπως memory module μαζικής αποθήκευσης, mobile DRAM, graphics DRAM.
"Η Hynix έγινε η πρώτη εταιρεία παγκοσμίως που κατάφερε να ενσωματώσει επιτυχώς την 40nm τεχνολογία σε DDR3 DRAM chips", τόνισε o Park Hyun - εκπρόσωπος τύπου της Hynix.
"Η ανάπτυξη του νέου αυτού chip, συμβάλλει στην προσπάθεια της εταιρείας να συνεχίσει να πρωταγωνιστεί σε όλες τις γρήγορες αλλαγές που γίνονται στην αγορά των μνημών"
 |
Η συνολική παραγωγή 40nm 1GΒ DDR3 DRAM της Hynix, έχει ήδη ξεπεράσει κατά 50% την τρέχουσα τεχνολογία κατασκευής των 55nm και από ότι φαίνεται συνεχίζει απροβλημάτιστα την άνοδο. Με την εφαρμογή της τεχνολογίας "τρισδιάστατη κρυσταλλολυχνία" (κρυσταλλολυχνία - ευρέως γνωστή με την ονομασία transistor), το προϊόν μειώνει όχι μόνο την ανεπιθύμητη διαρροή ρεύματος αλλά και την συνολική κατανάλωση.
Το καινούριο 1G memory chip, ανταποκρίνεται πλήρως στα DDR3 DRAM specs και θα εξαταστεί σύντομα από την Intel για να αποκτήσει πιστοποίηση. Η Hynix όμως δεν είναι πρόθυμη να σταματήσει εδώ, αφού θα επεκτύνει ακόμα περισσότερο την 40nm DDR3 τεχνολογία - υψηλής ταχύτητας, χαμηλής κατανάλωσης - και σε άλλα προϊόντα όπως memory module μαζικής αποθήκευσης, mobile DRAM, graphics DRAM.
"Η Hynix έγινε η πρώτη εταιρεία παγκοσμίως που κατάφερε να ενσωματώσει επιτυχώς την 40nm τεχνολογία σε DDR3 DRAM chips", τόνισε o Park Hyun - εκπρόσωπος τύπου της Hynix.
"Η ανάπτυξη του νέου αυτού chip, συμβάλλει στην προσπάθεια της εταιρείας να συνεχίσει να πρωταγωνιστεί σε όλες τις γρήγορες αλλαγές που γίνονται στην αγορά των μνημών"
