Samsung 30nm DDR3: Οικονομία, ευκολία και μειωμένη κατανάλωση

Ο κορεάτικος κολοσσός Samsung, ανακοίνωσε πρόσφατα την πρώτη παγκόσμια δημιουργία μνημών τεχνολογίας DDR3 με λιθογραφική μέθοδο 30 nm και πυκνότητας των 2 GB. Σύμφωνα με τις πρώτες δοκιμές, η μέθοδος αυτή δημιουργεί αύξηση παραγωγικότητας των σχετικών μνημών κατά 60% σε σχέση με τα 40 nm, και μειώνει το κόστος παραγωγής στo μισό σε σχέση με διατάξεις των 50 και 60nm. Ο κορεάτικος κολοσσός Samsung, ανακοίνωσε πρόσφατα την πρώτη παγκόσμια δημιουργία μνημών τεχνολογίας DDR3 με λιθογραφική μέθοδο 30 nm και πυκνότητας των 2 GB. Σύμφωνα με τις πρώτες δοκιμές, η μέθοδος αυτή δημιουργεί αύξηση παραγωγικότητας των σχετικών μνημών κατά 60% σε σχέση με τα 40 nm, και μειώνει το κόστος παραγωγής στo μισό σε σχέση με διατάξεις των 50 και 60nm.

“Η επιταχυνόμενη ανάπτυξη των DRAM νέας γενιάς των 30 nm θα πρέπει να μας διατηρήσει σε θέση ισχύος στην αγορά των μνημών,” αναφέρει ο Soo-In Cho, president, Memory Division, Samsung Electronics. “Η τεχνολογία παραγωγής μας της κλάσης των 30nm θα προσφέρει τις πιο προχωρημένες DDR3 μνήμες χαμηλής κατανάλωσης που διατίθενται στο σήμερα και την πιο αποδοτική DRAM λύση οπουδήποτε για την παρουσίαση ηλεκτρονικών για το σπίτι και διατάξεις server. ”

Οι καινούριες μνήμες της Samsung βασισμένες στα 30 nm μειώνουν την κατανάλωση κατά 30% σε σχέση με αυτές των 50 nm και στοχεύουν για χρήση σε desktop, laptop, server, netbook pcʼs, όπως και σε κινητά τηλέφωνα. Αναμένεται να ξεκινήσουν σειριακή παραγωγή στο Q2 του 2010.