Samsung 40 nm process: 4 GB DDR3 on one chip
Φαίνεται ότι ο γίγαντας Samsung δεν κάθεται με σταυρωμένα τα χέρια, αλλά δίνει μια νέα πνοή εξελίξεων σε αυτό που ονομάζουμε τεχνολογική πρόοδος. Μετά την ανακοίνωση του για μετάβαση στα 30 nm στα μέσα του 2010, συνεχίζει να σπρώχνει ολοένα τα δρώμενα για περισσότερη πυκνότητα μνημών, μικρότερες τάσεις και φυσικά μεγαλύτερες επιδόσεις. Το νέο του επίτευγμα έχει να κάνει με τη διάθεση μνημών DDR3 υψηλής πυκνότητας που αγγίζει τα 4 Gbit, ταχύτητες μέχρι και 1600 MHz και τάσεις που πέφτουν μέχρι και τα 1.35 Volts. Φαίνεται ότι ο γίγαντας Samsung δεν κάθεται με σταυρωμένα τα χέρια, αλλά δίνει μια νέα πνοή εξελίξεων σε αυτό που ονομάζουμε τεχνολογική πρόοδος. Μετά την ανακοίνωση του για μετάβαση στα 30 nm στα μέσα του 2010, συνεχίζει να σπρώχνει ολοένα τα δρώμενα για περισσότερη πυκνότητα μνημών, μικρότερες τάσεις και φυσικά μεγαλύτερες επιδόσεις. Το νέο του επίτευγμα έχει να κάνει με τη διάθεση μνημών DDR3 υψηλής πυκνότητας που αγγίζει τα 4 Gbit, ταχύτητες μέχρι και 1600 MHz και τάσεις που πέφτουν μέχρι και τα 1.35 Volts.
“Όταν πρωτοεμφανίστηκαν οι μνήμες DDR3 κατασκευασμένες με λιθογραφική μέθοδο των 40 nm τον περασμένο Ιούλιο, βρισκόμασταν αρκετά μπροστά από τον ανταγωνισμό με υψηλής πυκνότητας και επιδόσεων DDR3,” αναφέρει ο Dong-Soo Jun, executive vice president, memory marketing, Samsung Electronics. “Tώρα, μετά το πέρας μόλις επτά μηνών, έχουμε παρουσιάσει μια εξαιρετικά χαμηλής κατανάλωσης «Green Memory» - την DDR3 των 4 Gbit που έχει τη διπλάσια πυκνότητα από τον προκάτοχο της. Στην πυκνότητα των 16 GB ανά module, συγκεκριμένο μοντέλο μπορεί να διασφαλίσει την μείωση της κατανάλωσης κατά 35% , για να υποστηρίξει τις απαιτήσεις των χρηστών για ακόμα περισσότερα energy-efficient σχέδια.”
Ήδη ετοιμάζονται μνήμες RDimmʼs με χωρητικότητες των 16 και 32 GB, όπως και 8 GB SO-Dimmʼs, ενώ η Samsung στοχεύει να μεταφέρει το 90% της παραγωγής στα 40 nm άμεσα ειδικά τώρα που μπορεί να κατασκευάσει modules των 4 Gbit.
“Όταν πρωτοεμφανίστηκαν οι μνήμες DDR3 κατασκευασμένες με λιθογραφική μέθοδο των 40 nm τον περασμένο Ιούλιο, βρισκόμασταν αρκετά μπροστά από τον ανταγωνισμό με υψηλής πυκνότητας και επιδόσεων DDR3,” αναφέρει ο Dong-Soo Jun, executive vice president, memory marketing, Samsung Electronics. “Tώρα, μετά το πέρας μόλις επτά μηνών, έχουμε παρουσιάσει μια εξαιρετικά χαμηλής κατανάλωσης «Green Memory» - την DDR3 των 4 Gbit που έχει τη διπλάσια πυκνότητα από τον προκάτοχο της. Στην πυκνότητα των 16 GB ανά module, συγκεκριμένο μοντέλο μπορεί να διασφαλίσει την μείωση της κατανάλωσης κατά 35% , για να υποστηρίξει τις απαιτήσεις των χρηστών για ακόμα περισσότερα energy-efficient σχέδια.”
Ήδη ετοιμάζονται μνήμες RDimmʼs με χωρητικότητες των 16 και 32 GB, όπως και 8 GB SO-Dimmʼs, ενώ η Samsung στοχεύει να μεταφέρει το 90% της παραγωγής στα 40 nm άμεσα ειδικά τώρα που μπορεί να κατασκευάσει modules των 4 Gbit.
