DDR4 modules εθεάθησαν στην ISSCC 2012
Δύο μεγάλοι κατασκευαστές DRAM, η Hynix Semiconductor και η Samsung Electronics, παρουσίασαν στο International Solid-State Circuits Conference (ISSCC) πρωτότυπα μοντέλα DDR4 μνημών. Ενδιαφέρων αποτελεί το γεγονός ότι οι υπόλοιποι παρευρισκόμενοι κατασκευαστές δεν δημοσίευσαν πληροφορίες, ούτε παρουσίασαν κάποιο εν λειτουργία πρωτότυπο DDR4 module. Δύο μεγάλοι κατασκευαστές DRAM, η Hynix Semiconductor και η Samsung Electronics, παρουσίασαν στο International Solid-State Circuits Conference (ISSCC) πρωτότυπα μοντέλα DDR4 μνημών. Ενδιαφέρων αποτελεί το γεγονός ότι οι υπόλοιποι παρευρισκόμενοι κατασκευαστές δεν δημοσίευσαν πληροφορίες, ούτε παρουσίασαν κάποιο εν λειτουργία πρωτότυπο DDR4 module.
Ενδιαφέρον επικράτησε κατά την παρουσίαση του Samsung DDR4 DRAM module, το οποίο μπόρεσε να επιτύχει ταχύτητες μεταφοράς δεδομένων της τάξης των 2133 GB/s με 1.2v τάση λειτουργίας. Συγκρίνοντας βέβαια την υπάρχουσα 1.5v DDR3 τεχνολογία, η οποία είναι κατασκευασμένη στα 30nm, με τα νέα DDR4 Samsung modules, παρατηρούμε μια μείωση κατανάλωσης ενέργειας σε φορητές συσκευές της τάξης του 40%. Η Hynix, με την σειρά της παρουσίασε τα δικά της DDR4 modules, με τάση λειτουργίας τα 1.2v και ταχύτητα στα 2400 MHz - 19.2 GB/s. Τέλος, όπως αναφέραμε και παραπάνω στην ISSCC 2012, μόνο η Samsung και η Hynix παρουσίασαν κάποιο πρωτότυπο μοντέλο κατασκευασμένο στα 30nm και 38nm, ενώ αναφορές σημειώνουν ότι στο τέλος του χρόνου θα ξεκινήσει μαζική παραγωγή DDR4 modules στα 20nm, και τα πρώτα δείγματα πιθανώς να τα δούμε στις αρχές του 2014.
Ενδιαφέρον επικράτησε κατά την παρουσίαση του Samsung DDR4 DRAM module, το οποίο μπόρεσε να επιτύχει ταχύτητες μεταφοράς δεδομένων της τάξης των 2133 GB/s με 1.2v τάση λειτουργίας. Συγκρίνοντας βέβαια την υπάρχουσα 1.5v DDR3 τεχνολογία, η οποία είναι κατασκευασμένη στα 30nm, με τα νέα DDR4 Samsung modules, παρατηρούμε μια μείωση κατανάλωσης ενέργειας σε φορητές συσκευές της τάξης του 40%. Η Hynix, με την σειρά της παρουσίασε τα δικά της DDR4 modules, με τάση λειτουργίας τα 1.2v και ταχύτητα στα 2400 MHz - 19.2 GB/s. Τέλος, όπως αναφέραμε και παραπάνω στην ISSCC 2012, μόνο η Samsung και η Hynix παρουσίασαν κάποιο πρωτότυπο μοντέλο κατασκευασμένο στα 30nm και 38nm, ενώ αναφορές σημειώνουν ότι στο τέλος του χρόνου θα ξεκινήσει μαζική παραγωγή DDR4 modules στα 20nm, και τα πρώτα δείγματα πιθανώς να τα δούμε στις αρχές του 2014.
