DDR4: H Samsung παρουσιάζει τα πρώτα δείγματα και το μελλοντικό roadmap
Η Samsung Electronics, ο μεγαλύτερος κατασκευαστής αυτή την στιγμή στον τομέα των μνημών παρουσίασε τα νέα της DDR4 chips και modules στο Intel Developer Forum και παράλληλα έδειξε και το roadmap της για τα επόμενα χρόνια. Αν και οι προβλέψεις λέγαν οτι οι προδιαγραφές της μνήμης DDR4 θα είχαν οριστικοποιηθεί μέσα στο 2011 και η παραγωγή να ξεκινήσει το 2012 μετά από πολλές αλλαγές στα σχέδια και επανασχεδιασμούς περιμένουμε τις τελικές προδιαγραφές μέχρι το τέλος του χρόνου αν και η Intel σκοπεύει να την χρησιμοποιήσει από το 2014 και μετά. Η Samsung Electronics, ο μεγαλύτερος κατασκευαστής αυτή την στιγμή στον τομέα των μνημών παρουσίασε τα νέα της DDR4 chips και modules στο Intel Developer Forum και παράλληλα έδειξε και το roadmap της για τα επόμενα χρόνια. Αν και οι προβλέψεις λέγαν οτι οι προδιαγραφές της μνήμης DDR4 θα είχαν οριστικοποιηθεί μέσα στο 2011 και η παραγωγή να ξεκινήσει το 2012 μετά από πολλές αλλαγές στα σχέδια και επανασχεδιασμούς περιμένουμε τις τελικές προδιαγραφές μέχρι το τέλος του χρόνου αν και η Intel σκοπεύει να την χρησιμοποιήσει από το 2014 και μετά.
Κατά την διάρκεια του Intel Developer Forum η Samsung παρουσίασε το DDR4 memory module υψηλής πυκνότητας 16GB PC4-17000 (2133MHz) 284-pin με κωδικό K4A46045QB. Αυτή τη φορά όμως το module έρχεται με switch/buffer chip από την IDT αντί της Texas Instruments που χρησιμοποιούσε παλιότερα. Παράλληλα η εταιρία έδειξε και ένα wafer των 300mm με DDR4 τσιπάκια που κατασκευάζονται στα 30nm.
Αν και οι τελικές προδιαγραφές δεν έχουν οριστικοποιηθεί ακόμα η Samsung φαίνεται οτι έχει ετοιμάσει το δικό της roadmap για την DDR4. Έτσι βλέπουμε οτι από τον νέο χρόνο σκοπεύει να αυξήσει την συχνότητα στα δοκιμαστικά κομμάτια της στα 2400MHz, ενώ τα τελικά προϊόντα που προορίζονται για την αγορά των servers το 2014 θα λειτουργούν στα 2666ΜHz. Τελικό σχέδιο της Samsung και της Intel είναι να εμφανιστούν DDR4 μνήμες στα 3,20GHz.
Κατά την διάρκεια του Intel Developer Forum η Samsung παρουσίασε το DDR4 memory module υψηλής πυκνότητας 16GB PC4-17000 (2133MHz) 284-pin με κωδικό K4A46045QB. Αυτή τη φορά όμως το module έρχεται με switch/buffer chip από την IDT αντί της Texas Instruments που χρησιμοποιούσε παλιότερα. Παράλληλα η εταιρία έδειξε και ένα wafer των 300mm με DDR4 τσιπάκια που κατασκευάζονται στα 30nm.
Αν και οι τελικές προδιαγραφές δεν έχουν οριστικοποιηθεί ακόμα η Samsung φαίνεται οτι έχει ετοιμάσει το δικό της roadmap για την DDR4. Έτσι βλέπουμε οτι από τον νέο χρόνο σκοπεύει να αυξήσει την συχνότητα στα δοκιμαστικά κομμάτια της στα 2400MHz, ενώ τα τελικά προϊόντα που προορίζονται για την αγορά των servers το 2014 θα λειτουργούν στα 2666ΜHz. Τελικό σχέδιο της Samsung και της Intel είναι να εμφανιστούν DDR4 μνήμες στα 3,20GHz.
