Toshiba & SanDisk Εγκαινιάζουν την επέκταση του Fab 5
Οι Toshiba & SanDisk γιορτάζουν το άνοιγμα της δεύτερης φάσης του Fab 5. Οι Toshiba & SanDisk γιορτάζουν το άνοιγμα της δεύτερης φάσης του Fab 5.
Η εν λόγω φάση ακολουθείται από την ανακοίνωση της κατασκευής του Fab 2 στην Ιαπωνία το οποίο θα είναι υπεύθυνο για την κατασκευή NAND Flash. Οι εργασίες για την δεύτερη φάση του Fab 5 ξεκίνησαν τον Αύγουστο του 2013 και ολοκληρώθηκαν πρόσφατα με την παραγωγή να έχει ξεκινήσει από την αρχή του μήνα. Το Fab 2 από την άλλη, αναμένεται να μπει σε τροχιά παραγωγής το 2016 για να μετατρέπει 2D NAND σε 3D NAND.
Οι δύο εταιρείες, με αυτή την κοινή στρατηγική αναμένουν να ικανοποιήσουν την αγορά, η οποία σύμφωνα με τα λεγόμενά τους, αναμένεται αυξημένη, όσον αφορά Flash μνήμες για smartphones, tablets και SSDs.
Outline of Fab 5 (including phase 2) at Yokkaichi Operations
Outline of the New Fab 2 at Yokkaichi Operations
Η εν λόγω φάση ακολουθείται από την ανακοίνωση της κατασκευής του Fab 2 στην Ιαπωνία το οποίο θα είναι υπεύθυνο για την κατασκευή NAND Flash. Οι εργασίες για την δεύτερη φάση του Fab 5 ξεκίνησαν τον Αύγουστο του 2013 και ολοκληρώθηκαν πρόσφατα με την παραγωγή να έχει ξεκινήσει από την αρχή του μήνα. Το Fab 2 από την άλλη, αναμένεται να μπει σε τροχιά παραγωγής το 2016 για να μετατρέπει 2D NAND σε 3D NAND.
Οι δύο εταιρείες, με αυτή την κοινή στρατηγική αναμένουν να ικανοποιήσουν την αγορά, η οποία σύμφωνα με τα λεγόμενά τους, αναμένεται αυξημένη, όσον αφορά Flash μνήμες για smartphones, tablets και SSDs.
Outline of Fab 5 (including phase 2) at Yokkaichi Operations
- Structure of building: 2-Story steel frame concrete, five floors
- Building area: Approximately 38,000 m²
- Start of construction: (Phase 1) July 2010; (Phase 2) August 2013
- Building completion: (Phase 1) July 2011; (Phase 2) September 2014
Outline of the New Fab 2 at Yokkaichi Operations
- Structure of building: 2-Story steel frame concrete, five floors
- Building area: Approximately 27,300 m²
