Νέες DRAM κλάσης 10nm ετοιμάζει η SK Hynix

Η αγορά των μνημών θα γίνει πιο ενδιαφέρουσα καθώς η μεγάλη κατασκευάστρια μνημών SK Hynix θα προσθέσει έναν προηγμένο τύπο DRAM στο portfolio της με νέα χαρακτηριστικά.

Η μικρότερη λιθογραφία των DRAM, κλάσης 10nm θα μπει σε τροχιά κατά το δεύτερο μισό του 2017 για να αντικαταστήσει αυτή των 21nm. Η εταιρία κατασκευάζει στα 21nm DRAM για consumer RAM για desktops, laptops μέχρι και smartphones ενώ η νέα 10nm-class που λέγεται ότι έχει ως βάση τα 18nm θα μπει σε μαζική παραγωγή κάποια στιγμή μετά το μισό του 2017.

Αναλυτές πιστεύουν πως η ζήτηση DRAM το 2017 θα ξεπεράσει το 20% αναφερόμενοι στα δεδομένα από έτος σε έτος. Εκτός από αυτά, την αγορά οδηγούν και άλλοι παράγοντες, όπως οι νέοι Xeon επεξεργαστές της Intel και της πλατφόρμας Purley αλλά και τα μελλοντικά smartphones. Τα επερχόμενα Android smartphones θα φέρουν μέχρι και 8GB LPDDR4 ή LPDDR4X μνήμες και η ζήτηση θα αυξηθεί προς το τέλος του έτους σύμφωνα και με τις προβλέψεις.

Παράλληλα η εταιρία ετοιμάζει τη μαζική παραγωγή μνημών 72-layer 3D TLC NAND για μονάδες αποθήκευσης. Κατά το Q2 η εταιρία θα προσφέρει μνήμες 256Gb, όμως μέχρι το τελευταίο τρίμηνο του έτους, αναμένεται να δούμε και NAND 512Gb. Αυτό θα δώσει το έναυσμα για υψηλότερης χωρητικότητας SSD χάρη στη διπλάσια πυκνότητα του εκάστοτε IC.

Το εργοστάσιο που θα κατασκευάσει αυτού του τύπου της μνήμες