Η Rambus υπόσχεται διπλάσιο Memory Bandwidth με HBM3 και DDR5

Στο πλαίσιο μιας εκδήλωσης επενδυτών, η Rambus Inc. αναφέρθηκε στο μέλλον.

Εν τω μεταξύ το αυτοαποκαλούμενο “Patenttroll” group (ομάδα διπλωμάτων ευρεσιτεχνίας), σκοπεύει σε μελλοντική αύξηση του κύρους του, με νέες τεχνολογίες στο τομέα της αποθήκευσης όπου τα DDR5 και HBM3 interfaces βρίσκονται στην κορυφή της λίστας του.

Στη στροφή της χιλιετίας, η Rambus ήταν ένας από τους πρωτοπόρους αρχιτεκτονικής και τεχνολογίας προηγμένης αποθήκευσης, με εταιρείες κολοσσούς στη βιομηχανία της DRAM, όπως η Samsung, η SK Hynix και η Micron, αλλά και τεχνολογιών chip και SoC, όπως η Qualcomm και η Nvidia, και φυσικά η AMD, η Intel και η IBM, καθώς και πολλές άλλες εταιρείες, να εξακολουθούν να πληρώνουν στην Rambus για τη χρήση αυτής της τεχνογνωσίας (know-how).

Αν και ο υπόψη τομέας δεν αποτελεί μεγάλο μερίδιο των κερδών της εταιρείας, ωστόσο οι αυξημένες απαιτήσεις στο πεδίο των servers και των data centers έχει προσελκύσει τη Rambus, όχι μόνο ως προς την ανάπτυξη βασικών τεχνολογιών (know-how), αλλά και ως προς την κατασκευή προϊόντων.

Η ανάπτυξη του DDR5 έχει μεγαλύτερη εξέλιξη (αναμένεται να πιστοποιηθεί εντός του 2018), με τη Rambus να αναφέρει από τον Σεπτέμβριο πως διαθέτει λειτουργικό πυρίτιο (functional silicon) για DDR5, το οποίο βρίσκεται στο στάδιο των δοκιμών.

Τα νέα memory Interfaces (ΗΒΜ3 και DDR5) αναμένεται να έχουν διπλάσιες ταχύτητες από τις σημερινές εκδόσεις τους και αναμένουμε να τα δούμε μάλλον μετά από 2 έτη καθώς σύμφωνα με τη Rambus η κατασκευή και των δύο τύπων interface (HBM3 and DDR5) θα γίνει στα 7nm.