Η Samsung κατασκευάζει 2ης Γενιάς DDR4 chips

Μετά τις υποσχέσεις της Rambus για διπλάσιο Memory Bandwidth με HBM3 και DDR5, ήρθε η σειρά της Samsung Electronics να μας φέρει ακόμα πιο κοντά στις παραπάνω υλοποιήσεις.

Τα νέα έρχονται μέσω της χθεσινής ανακοίνωσης της Samsung για την έναρξη της μαζικής παραγωγής των πρώτων 2ης γενιάς DRAM στα 10nm. Πρόκειται για την κατασκευή 8-gigabit (Gb) DDR4 DRAM η οποία προορίζεται για ευρεία χρήση σε computing systems επόμενης γενιάς. Σύμφωνα με τη Samsung, η νέα 8Gb DDR4 διαθέτει τις υψηλότερες επιδόσεις και την καλύτερη ενεργειακή απόδοση στην κατηγορία των 8Gb DRAM chip, καθώς και το μικρότερο σε μέγεθος chip που υπάρχει στην αγορά.

Συγκριτικά με τα 1ης γενιάς 10nm-class 8Gb DDR4 DRAM chips της εταιρείας, τα νέα  (2ης γενιάς 10nm-class 8Gb DDR4) DRAM chips έρχονται με 30% αύξηση παραγωγικότητας, 10% υψηλότερες επιδόσεις και 15% καλύτερη  ενεργειακή απόδοση. Έτσι, η νέα 8Gb DDR4 θα μπορεί να λειτουργεί στα 3.600 Mbps, αντί στα 3.200 Mbps που λειτουργούσαν τα μέχρι σήμερα 1x-nm 8Gb DDR4 DRAM chips της εταιρείας.

Όλα αυτά χωρίς τη χρήση EUV τεχνολογίας (Extreme ultraviolet lithography process), αλλά χάρη σε μια προηγμένη τεχνολογία σχεδιασμού κυκλώματος της Samsung, Μία καινοτόμος διαδικασία η οποία περιλαμβάνει τη χρήση ενός υψηλής ευαισθησίας συστήματος αισθητήρων κυψελών δεδομένων (cell data) και ενός προοδευτικού συστήματος διαχωρισμού αέρα (air spacer scheme).

Καθώς οι παραπάνω τεχνολογίες είναι πλέον εφαρμόσιμες και για μαζική παραγωγή, αυτό σημαίνει πως ο μεγάλος σκόπελος της αρνητικής επίδρασης του ανεπιθύμητου φορτίου (parasitic capacitance) μεταξύ των ηλεκτρονικών κυκλωμάτων ή των τμημάτων/μερών αυτών έχει πλέον ξεπεραστεί και ανοίγει ο δρόμος για ακόμα μικρότερες λιθογραφίες. Σε αυτό το πλαίσιο η Samsung επιταχύνει τα πλάνα της για ακόμα γρηγορότερα DRAM chips και συστήματα, τα οποία θα περιλαμβάνουν DDR5, HBM3, LRDDR5 και GDDR6 interfaces για ευρεία χρήση (enterprise servers, κινητές συσκευές, supercomputers, HPC συστήματα και κάρτες γραφικών).