SanDisk, νέα λιθογραφία στα 15nm
Η SanDisk ανακοίνωσε την νέα λιθογραφία της στα 15nm η οποία θα εμφανιστεί σε σχετικά προϊόντα το δεύτερο μισό του 2014. Η SanDisk ανακοίνωσε την νέα λιθογραφία της στα 15nm η οποία θα εμφανιστεί σε σχετικά προϊόντα το δεύτερο μισό του 2014.
Η εταιρεία ανακοίνωσε την 1Z-nanometer τεχνολογία των επερχόμενων NAND flash προϊόντων της. Η τεχνολογία αυτή θα επιτρέπει την τοποθέτηση 2 bit per cell καθώς και 3 bit per cell όπως οι δίσκοι της Samsung με την ημερομηνία διάθεσης να έχει οριστεί για το δεύτερο μισό του 2014. Η νέα αρχιτεκτονική συνοδεύεται από καινοτόμες ιδέες και υλοποιήσεις της εταιρείας όπως η All-Bit-Line (ABL) architecture που ενσωματώνει αλγορίθμους προγραμματισμού και multi level data storage management schemes και θα βρει τον δρόμο της σε αρκετές λύσεις, από κάρτες μνήμης μέχρι enterprise SSDs.
Η εταιρεία ανακοίνωσε την 1Z-nanometer τεχνολογία των επερχόμενων NAND flash προϊόντων της. Η τεχνολογία αυτή θα επιτρέπει την τοποθέτηση 2 bit per cell καθώς και 3 bit per cell όπως οι δίσκοι της Samsung με την ημερομηνία διάθεσης να έχει οριστεί για το δεύτερο μισό του 2014. Η νέα αρχιτεκτονική συνοδεύεται από καινοτόμες ιδέες και υλοποιήσεις της εταιρείας όπως η All-Bit-Line (ABL) architecture που ενσωματώνει αλγορίθμους προγραμματισμού και multi level data storage management schemes και θα βρει τον δρόμο της σε αρκετές λύσεις, από κάρτες μνήμης μέχρι enterprise SSDs.