H IBM μας παρουσιάζει την phase change memory
Που σύμφωνα με τις μετρήσεις της θα μπορεί να είναι μέχρι 275 φορές πιο γρήγορη από τους τωρινούς SSDs! Που σύμφωνα με τις μετρήσεις της θα μπορεί να είναι μέχρι 275 φορές πιο γρήγορη από τους τωρινούς SSDs!
Σκοπός της IBM είναι αυτή η νέου τύπου μνήμη, να αντικαταστήσει κάποια μέρα τις NAND flash μνήμες που χρησιμοποιούμε στους SSDs. Η έρευνα της εταιρίας πάνω στην phase change memory αποτελεί μέρος του Theseus Project που γίνεται σε συνεργασία με το πανεπιστήμιο της Πάτρας και προσπαθεί να συνδυάσει την phase change memory και τις κλασσικές μνήμες NAND και DRAM στον ίδιο controller, ώστε να δημιουργήσει ένα hybrid αποθηκευτικό μέσο που θα ξεπερνά σε ταχύτητες τους PCIe SSDs από 12 ως 275 φορές.
Η phase change memory (PCM) αποτελεί μία από τις πολλές προτάσεις που μπορούν στο μέλλον να αντικαταστήσουν τις NAND μνήμες και κατασκευάζεται από chalcogenide glass. Η απότομη θέρμανση του, το κάνει να μεταβάλει την δομή του από την άμορφη κατάσταση που έχει μεγάλη ηλεκτρική αντίσταση και μπορεί να θεωρηθεί το δυαδικό 0 στην κρυσταλλική φάση που θεωρείται το δυαδικό 1 και έχει ελάχιστη αντίσταση. Η εναλλαγή μεταξύ των δύο φάσεων είναι πολύ γρήγορη ενώ έρευνες της Intel και της Micron έδειξαν οτι μπορούν να υπάρξουν και ενδιάμεσες καταστάσεις ώστε να μπορούν να αποθηκευτούν δύο bit πληροφοριών ανά κελί μνήμης.
Παράλληλα η phase change memory προσφέρει πολύ χαμηλό latency και αρκετά υψηλότερες ταχύτητες σε σχέση με την NAND μνήμη, ενώ αντέχει εκατομμύρια write cycles σε σχέση με την NAND μνήμη που προσφέρει μέχρι 30.000 κύκλους στις SLC NAND. Αυτό που προτείνει η IBM είναι ένα υβριδικό σχήμα όπου θα χρησιμοποιείται τόσο η NAND μνήμη όσο και μια μικρή ποσότητα PCM προσφέροντας δυνατότητες χαμηλού latency. Στο PSS (Prototype Storage Solution) που προτείνει η εταιρία η PCM λειτουργεί σαν cache ή σαν ένα ακόμα επίπεδο αποθήκευσης μεταξύ της NAND και της DRAM. Στα διαγράμματα φαίνονται οι δυνατότητες της νέας μνήμης όπου το μέγιστο latency του PSS είναι μόλις 2.000μs σε ενώ οι MLC προτάσεις έχουν 20.000μs και η TLC μνήμη 120.000μs.
Υπάρχει ένα πρόβλημα όμως. Το πρωτότυπο PSS σύστημα της IBM βασίζεται σε μνήμες 90nm της Micron. Η Micron όμως ανακοίνωσε στις αρχές του χρόνου οτι σταματάει την εξέλιξη της PCM και αποσύρεται από την αγορά γιατί θέλει να επικεντρωθεί στις 3D NAND μνήμες. Αν και φαίνεται λοιπόν οτι η phase change memory θα μπορούσε να αποτελέσει μια μελλοντική λύση για μεγαλύτερες ταχύτητες και με καλύτερη αντοχή από τις τωρινές μνήμες θα δυσκολευτεί πολύ να βρει τον δρόμο της στην αγορά.
Σκοπός της IBM είναι αυτή η νέου τύπου μνήμη, να αντικαταστήσει κάποια μέρα τις NAND flash μνήμες που χρησιμοποιούμε στους SSDs. Η έρευνα της εταιρίας πάνω στην phase change memory αποτελεί μέρος του Theseus Project που γίνεται σε συνεργασία με το πανεπιστήμιο της Πάτρας και προσπαθεί να συνδυάσει την phase change memory και τις κλασσικές μνήμες NAND και DRAM στον ίδιο controller, ώστε να δημιουργήσει ένα hybrid αποθηκευτικό μέσο που θα ξεπερνά σε ταχύτητες τους PCIe SSDs από 12 ως 275 φορές.
Η phase change memory (PCM) αποτελεί μία από τις πολλές προτάσεις που μπορούν στο μέλλον να αντικαταστήσουν τις NAND μνήμες και κατασκευάζεται από chalcogenide glass. Η απότομη θέρμανση του, το κάνει να μεταβάλει την δομή του από την άμορφη κατάσταση που έχει μεγάλη ηλεκτρική αντίσταση και μπορεί να θεωρηθεί το δυαδικό 0 στην κρυσταλλική φάση που θεωρείται το δυαδικό 1 και έχει ελάχιστη αντίσταση. Η εναλλαγή μεταξύ των δύο φάσεων είναι πολύ γρήγορη ενώ έρευνες της Intel και της Micron έδειξαν οτι μπορούν να υπάρξουν και ενδιάμεσες καταστάσεις ώστε να μπορούν να αποθηκευτούν δύο bit πληροφοριών ανά κελί μνήμης.
Παράλληλα η phase change memory προσφέρει πολύ χαμηλό latency και αρκετά υψηλότερες ταχύτητες σε σχέση με την NAND μνήμη, ενώ αντέχει εκατομμύρια write cycles σε σχέση με την NAND μνήμη που προσφέρει μέχρι 30.000 κύκλους στις SLC NAND. Αυτό που προτείνει η IBM είναι ένα υβριδικό σχήμα όπου θα χρησιμοποιείται τόσο η NAND μνήμη όσο και μια μικρή ποσότητα PCM προσφέροντας δυνατότητες χαμηλού latency. Στο PSS (Prototype Storage Solution) που προτείνει η εταιρία η PCM λειτουργεί σαν cache ή σαν ένα ακόμα επίπεδο αποθήκευσης μεταξύ της NAND και της DRAM. Στα διαγράμματα φαίνονται οι δυνατότητες της νέας μνήμης όπου το μέγιστο latency του PSS είναι μόλις 2.000μs σε ενώ οι MLC προτάσεις έχουν 20.000μs και η TLC μνήμη 120.000μs.
Υπάρχει ένα πρόβλημα όμως. Το πρωτότυπο PSS σύστημα της IBM βασίζεται σε μνήμες 90nm της Micron. Η Micron όμως ανακοίνωσε στις αρχές του χρόνου οτι σταματάει την εξέλιξη της PCM και αποσύρεται από την αγορά γιατί θέλει να επικεντρωθεί στις 3D NAND μνήμες. Αν και φαίνεται λοιπόν οτι η phase change memory θα μπορούσε να αποτελέσει μια μελλοντική λύση για μεγαλύτερες ταχύτητες και με καλύτερη αντοχή από τις τωρινές μνήμες θα δυσκολευτεί πολύ να βρει τον δρόμο της στην αγορά.
