32 Layer 3D V-NAND Flash από τη Samsung

Η Samsung ξεκινά τη μαζική παραγωγή των πρώτων τρισδιάστατων μνημών 32-layer 3D V-NAND Flash οι οποίες χρησιμοποιούν 32 κάθετα τοποθετημένα στρώματα cell. Η Samsung ξεκινά τη μαζική παραγωγή των πρώτων τρισδιάστατων μνημών 32-layer 3D V-NAND Flash οι οποίες χρησιμοποιούν 32 κάθετα τοποθετημένα στρώματα cell.

Η εταιρεία πέρυσι είχε εισάγει την εν λόγω τεχνολογία στα data centers και τώρα την διανέμει στους high end υπολογιστές μεγαλώνοντας την εν λόγω αγορά. Ο Young-Hyun Jun, executive vice president, memory sales and marketing, Samsung Electronics είπε: "Αυξήσαμε την διαθεσιμότητα των νέων 3D V-NAND αποκαλύπτοντας ένα lineup δίσκων SSD που θα καλύψει περισσότερο την αγορά των υπολογιστών". "Σκοπός μας είναι να τροφοδοτήσουμε την αγορά με high performance και high density V-NAND SSDs και Chips για τους καταναλωτές και να βοηθήσουμε στην γρήγορη απορρόφηση της εν λόγω τεχνολογίας", συνέχισε.

Οι SSDs με την τεχνολογία 3D V-NAND, έχουν τη διπλάσια αντοχή στα writes ενώ ταυτόχρονα καταναλώνουν 20% λιγότερη ενέργεια συγκρινόμενοι με τα "επίπεδα" (2D) MLC NAND chips. Μέσα στο έτος η Samsung θα εισάγει και μια premium σειρά δίσκων SSD βασισμένη σε αυτή την τεχνολογία δεύτερης γενιάς 3D V-NAND.