Η Toshiba δοκιμάζει QLC NAND Flash για SSD και Smartphones

Οι quadruple level cell μνήμες της μπορούν να συγκρατήσουν τέσσερα bit ανά cell, όμως οι επιδόσεις και η αντοχή στις εγγραφές κρατούν πίσω την Toshiba.

Η εταιρία αποκάλυψε πρόσφατα πως σχεδιάζει το επόμενό της βήμα στον χώρο των NAND Flash, με βλέψεις να βρεθεί και στον χώρο των smartphones λόγω της αυξημένης πυκνότητας που υπόσχεται. Η τεχνολογία στις NAND Flash ξεκίνησε με τις single level cell μνήμες, όπου όπως προδίδει το όνομα τους μπορούν να συγκρατήσουν μονάχα ένα bit ανά cell, κάτι που διπλασίασαν οι MLC (multi level cell) σε βάρος των τελικών επιδόσεων αλλά και της αντοχής στις εγγραφές. Οι triple level cell προσφέρουν τρεις φορές υψηλότερη χωρητικότητα ανά cell έχοντας τα ίδια αρνητικά, όμως η Toshiba βλέπει φως στα QLC οπότε και συνεχίζει την ανάπτυξη.

Σύμφωνα με πηγές η ανάπτυξη πηγαίνει με αρκετά θετικούς ρυθμούς και ήδη έχει έτοιμα δείγματα για τους συνεργάτες της. Εάν λύσει όλα τα προβλήματα με τη παραγωγή τότε οι μνήμες θα έχουν αρκετό ενδιαφέρον μιας και τετραπλασιάζουν τη χωρητικότητα σε σχέση με μια SLC NAND Flash. Για να το μεταφράσουμε σε αριθμούς, η Toshiba αναφέρει πως κάθε die θα έχει χωρητικότητα 96GB και πως στακάρισμα 16 die στο ίδιο προφανώς εμβαδόν θα επιφέρει μνήμη 1500GB (1.5TB)!

Πηγή.

Βρείτε μας στα Social: