Guide: ASUS Z170 Overclocking - Memory Overclocking

Σελίδα 4 από 4: Memory Overclocking

Memory Overclocking

Ο υπερχρονισμός των μνημών είναι λίγο πιο “tricky” καθώς εξαρτάται από τις μνήμες που έχουμε στη κατοχή μας. Εξαρτάται και από το σχετικό με τις μνήμες υποσύστημα που βρίσκεται στο εσωτερικό του επεξεργαστή, τον IMC οπότε πρακτικά εξαρτάται και από τον επεξεργαστή μας. Στην αγορά υπάρχουν τρεις διαφορετικές εταιρείες που κατασκευάζουν τα ολοκληρωμένα κυκλώματα των μνημών και από εκεί διατίθενται στις εταιρείες που κατασκευάζουν μνήμες. Οι τρεις αυτές εταιρίες είναι οι SK Hynix, Micron και Samsung, ενώ υπάρχουν και μικρότερες θυγατρικές τους όπως η SpecTek που ανήκει στη Micron. Επί της ουσίας, οι κατασκευαστές αυτοί προμηθεύουν άλλες μεγάλες εταιρείες του χώρου με τα chip μνήμης τους (IC από εδώ και στο εξής) τα οποία όπως είναι φυσικό έχουν ορισμένες αντοχές και χαρακτηριστικά. Μεγάλες κοινότητες του χώρου έχουν αρκετούς enthusiast χρήστες και hardcore overclockers που παραθέτουν τις απόψεις τους και τα αποτελέσματα των δοκιμών τους με συγκεκριμένα kit που έχουν στη κατοχή τους κάνοντας έτσι την αγορά κάποιου πιο εύκολη υπόθεση.

Δεν υπάρχει κάποια ξεκάθαρη απάντηση στην ερώτηση «ποιος έχει τα καλύτερα IC» καθώς όλα σε αυτή τη γενιά έχουν κάποια περιθώρια για tweaking ενώ η μοναδική πλατφόρμα στην οποία μπορούν να ξεδιπλώσουν τις πραγματικές αρετές τους είναι αυτή των Skylake CPU. Οι πυκνότητες των DDR4 αυξάνονται συνεχώς ενώ αυξάνονται και οι χρονισμοί τους με τον καιρό και με κάθε νέο revision των τριών παραπάνω εταιριών. Για παράδειγμα, τη στιγμή που γράφονται αυτές οι γραμμές, DIMM των 8GB που τρέχουν στα 3733 με CL17 φέρουν τα πιο πρόσφατα Samsung IC της αγοράς, τα B-Die. Η πυκνότητά τους ανά chip ξεφεύγει από τα γνωστά 512MB και ανέρχεται σε 1GB και 2GB, και τα δύο για single sided υλοποιήσεις. Τα AFR της Hynix για παράδειγμα κυκλοφόρησαν στις πρώτες μνήμες προς το τέλος του 2015 ενώ πλέον εταιρίες όπως η G.Skill παρέχει validated μοντέλα που τρέχουν και στα 4266MHz με περιθώρια για λειτουργία στα 4133 με CL12-11-11 στο μετροπρόγραμμα SuperPi 32M.

Συνεχίζοντας την περιήγησή μας στον οδηγό, περνάμε και πάλι στο μενού Extreme Tweaker του BIOS και επικεντρωνόμαστε στις επιλογές που σχετίζονται με τις μνήμες μας (DRAM Timing Control). Καλό είναι να έχουμε τα specs των μνημών μας εύκαιρα, όπως τα πρώτα timings, ή έστω ένα screenshot που θα τα βλέπουμε από ένα άλλο PC. Θυμηθείτε, η προετοιμασία είναι το κλειδί για την επιτυχία! Οι επιλογές που μας ενδιαφέρουν είναι η DRAM Frequency από το “root” του μενού Extreme Tweaker και οι τάσεις από το κάτω μέρος της ίδιας σελίδας (DRAM Voltage).

Η πολυπλοκότητα έγκειται στο γεγονός πως θα πρέπει να έχουμε υπόψιν και δύο επιπλέον τάσεις του επεξεργαστή για τον IMC. Οι τάσεις αυτές είναι CPU VCCIO Voltage, System Agent Voltage και προτείνεται η αύξησή τους μέχρι τα 1.15 και 1.25V αντίστοιχα, όπως υπογραμμίζει η Intel.

Η διαδικασία που ακολουθούμε με τις μνήμες είναι:

1. Αύξηση του διαιρέτη όσο μας επιτρέπει η μητρική με το strap των 100MHz ή των 133MHz τη φορά έχοντας τα εργοστασιακά timings "χεράτα" από το BIOS.

2. Η μείωση των τριών βασικών timings τους όσο μας επιτρέπει η εργοστασιακή τάση. (Θυμηθείτε tRCD & tRP είναι ένα timing στους Skylake).

3. Ο συνδυασμός των 1-2 και η αύξηση της τάσης σε ασφαλή πλαίσια για την υποστήριξη του υπερχρονισμού.

4. Ο έλεγχος των μνημών με κάποιο πρόγραμμα όπως το Memtest86+ καθώς και προγραμμάτων καθημερινής χρήσης μέσα στο λειτουργικό σύστημα.

Εάν γνωρίζουμε τις δυνατότητες των IC που χρησιμοποιούν οι μνήμες μας τη συχνότητα και τη τάση, τότε αυξάνοντας τα timings (aka χαλαρώνοντας τα) μπορεί να έρθουμε αντιμέτωποι με πολύ αξιόλογα αποτελέσματα όσον αφορά τα raw megahertz. Στη συνέχεια θα παρουσιάσουμε μερικά παραδείγματα ρυθμίσεων για την ASUS Z170 μητρική σας και διάφορα kit μνημών.

• Μνήμες με Micron IC δύσκολα θα ξεπεράσουν τα 3200MHz σε αέρα και για καθημερινή χρήση, όμως μπορούν να λειτουργήσουν με CL 12, tRCD 12, tRD 12, tRFC 28 και σε συχνότητα 2800MHz – 2933MHz σε ορισμένες περιπτώσεις με τάση 1,4-1,62V.

• Τα SK Hynix MFR μπορούν να λειτουργήσουν απρόσκοπτα σε σχετικά υψηλές συχνότητες και είναι τα μοναδικά αξιόλογα IC της εταιρίας που μπορεί να τα αποκτήσει κάποιος. Τα AFR είναι ακόμα καλύτερα στον αέρα και έρχονται κυρίως σε μερικά μοντέλα της HyperX. Τα συγκεκριμένα θα έρχονται και σε μεγαλύτερες πυκνότητες και χρονισμούς και προτείνεται η χρήση τους στη πλατφόρμα Skylake, ενώ ανταγωνίζονται τα περισσότερα B-Die της Samsung στον τομέα του extreme overclocking. Βέβαια υπάρχουν πολύ λίγα αξιόλογα kits με AFR και οι τιμές τους πλέον βρίσκονται ίσως στα ίδια επίπεδα με ένα σαφώς καλύτερο σε επιδόσεις B-die της Samsung οπότε προτείνονται πλέον κυρίως για απλή καθημερινή χρήση.

• Τα D-Dieʼs της Samsung θεωρούνται mainstream για το Z170 μιας και εμφανίστηκαν μαζί με το X99 Chipset το 2014, τη πρώτη ουσιαστικά DDR4 πλατφόρμα, και ενδέχεται να τα συναντήσετε σε μνήμες των 3200 με CL16. Σίγουρα όμως υπάρχουν καλύτερες προτάσεις στην αγορά αυτή τη στιγμή, όπως τα E-Die τα οποία εμφανίζονται σε μοντέλα άνω των 3000MHz όπως ορισμένες Trident-Z (3400 CL16). Τα συγκεκριμένα όμως δε μπορούν να χαμηλώσουν αρκετά τα tRFC & tRD όπως αυτά που θα δούμε στη συνέχεια. Τα B-Die της Samsung είναι ότι πιο high end μπορεί να αγοράσει κάποιος σήμερα και τα tRFC/tRD μπορούν να ρυθμιστούν παράλληλα με το CL για αυξημένες επιδόσεις (12-12-12). Αρκετά κομμάτια έχουν ήδη κάνει την εμφάνισή τους σε καταστήματα της Ευρώπης και πωλούνται συνήθως σε kit 2x8GB με συχνότητες 3733MHz. Πλέον υπάρχουν και βελτιωμένα revisions κλάσης 10nm τα οποία τρέχουν μέχρι και στα 4200MHz με CL12 προσφέροντας επιδόσεις που αγγίζουν τη κορυφή σε πολλά benchmarks.

Οι περισσότερες DDR4 μνήμες έχουν περιθώρια μείωσης του CL από την εργοστασιακή ρύθμιση και ταυτόχρονα αύξησης της συχνότητας λειτουργίας κάτι που μεταφράζεται αυτόματα σε μεγαλύτερο bandwidth μεταξύ CPU και RAM. Τα Micron όπως και τα πιο πρόσφατα της Samsung μπορούν να έχουν ίδιο timing στα CL, tRFC και tRD και σχεδόν όλες είναι ικανές να «πέσουν» στα 12-12-12 με μια μικρή αύξηση της τάσης έως 1.50V. Περαιτέρω βελτίωση των επιδόσεων απαιτεί αναλογική ή και εκθετική αύξηση της τάσης ενώ για αέρα (ενεργή ψύξη με κάποιον ανεμιστήρα) δεν προτείνεται η αύξησή της πάνω από τα 1.95V.