Guide: ASRock Z170 BIOS Walkthrough - DRAM Configuration

Σελίδα 5 από 9: DRAM Configuration

DRAM Configuration

Στη συνέχεια έρχονται οι επιλογές που σχετίζονται με τις μνήμες μας.

DRAM Tweaker: Περιλαμβάνει «έτοιμες» JEDEC τιμές καθώς και του XMP εάν υποστηρίζεται και επιτρέπει να τις εφαρμόσετε άμεσα στο σύστημα.

DRAM Timing Configuration: Σε αυτή τη κατηγορία βλέπουμε κι άλλες ρυθμίσεις που σχετίζονται με τις μνήμες του συστήματος. Το Load XMP Setting εφαρμόζει κάποιο από τα XMP προφίλ του κατασκευαστή, ενώ η ASRock έχει τοποθετήσει έξυπνα και το BCLK μιας και χρειάζεται όταν «ψάχνουμε» τις μνήμες μας. Το DRAM Reference Clock επιτρέπει την αλλαγή της συχνότητας ανά 100 ή 133MHz. Το DRAM Frequency επιτρέπει την αλλαγή της συχνότητας μέχρι όσο υποστηρίζει η μητρική.

Ακολουθούν τα primary timings των μνημών:

Αρχικά υπάρχουν τα τέσσερα (ή τρία στα Skylake) πρωτεύοντα timings, CL, tRCD, tRP, tRAS, tRFC, και μετά συνεχίζουμε με τα δεύτερα και τρίτα που διαφέρουν από κιτ σε κιτ. Με τον όρο timing αναφερόμαστε στις λειτουργίες που γίνονται στο εσωτερικό των RAM μας και στην ουσία ελέγχουν τους χρόνους πραγμάτωσης κάποιων διεργασιών. Η μνήμη μπορεί να παρομοιαστεί με ένα πίνακα που περιέχει γραμμές και στήλες ή έναν speadsheet. Σε κάθε θεωρητικό «κουτάκι» βρίσκονται τα δεδομένα που όπως είπαμε και στη θεωρία μας, έχουν τη μορφή bit, δηλαδή ηλεκτρικού ρεύματος. Κάθε ένα από αυτά τα κουτάκια έχουν μια συγκεκριμένη διεύθυνση στην οποία έχει πρόσβαση το σύστημα. Η διεύθυνση αποτελείται το πολύ από 64 bit καθώς αυτό το εύρος έχουν όλοι οι τωρινοί επεξεργαστές στο υποσύστημα του IMC που συνδέεται με τις RAM. Κατά τη διαδικασία εκτέλεσης μιας εντολής όπως για την ανάγνωση ή την εγγραφή δεδομένων, ενεργοποιείται πρώτα η γραμμή (row) και αμέσως μετά η στήλη (column). Μια γρήγορη μνήμη διακρίνεται από το πόσο χαμηλά (ή «σφικτά») timings έχει εκτός από τη συχνότητα λειτουργίας της, άρα πόσο γρήγορα μπορεί να μεταβεί από τη μια διεύθυνση στην άλλη. Εκτός από αυτά τα στοιχεία, υπάρχουν κι άλλα timings που ελέγχουν διάφορα άλλα σημεία των μνημών. Ας δούμε τι ακριβώς κάνουν τα κύρια timings μιας μνήμης:

CAS Latency – Ονομάζεται και CL και αναφέρεται στους κύκλους ρολογιού που απαιτούνται από τη στιγμή που δίνεται η εντολή από τον ελεγκτή των μνημών για την εύρεση ενός δεδομένου από μια συγκεκριμένη διεύθυνση της μνήμης, μέχρι την επιστροφή της σε αυτόν. Το latency μετριέται σε nanoseconds και αποτελεί ένα από τα σημαντικότερα timings που μας δείχνει μερικώς τις επιδόσεις της μνήμης.

tRCD (Row Address to Column Address) – Η καθυστέρηση από τη RAS στη CAS. Ο χρόνος που χρειάζεται από την ενεργοποίηση της γραμμής (RAS) και της στήλης (CAS) στην οποία έχουν αποθηκευτεί τα δεδομένα στη μνήμη. Φανταστείτε τη μνήμη σαν ένα φύλλο excel στο οποίο τα «δεδομένα» μας βρίσκονται σε κάποια από τα κελιά. Το tRCD είναι ο χρόνος που απαιτείται για το «άνοιγμα» μιας γραμμής και την ανάγνωση των δεδομένων σε αυτή και είναι η διαδικασία που συμβαίνει ανάμεσα από την εντολή ενεργοποίησης (CAS) μέχρι την ανάγνωση ή την εγγραφή της εντολής.

tRP (Row Precharge) – Η «προφόρτιση» του RAS. Ο χρόνος που απαιτείται από το πέρας της πρόσβασης σε μια γραμμή δεδομένων, μέχρι την έναρξη της πρόσβασης σε κάποια άλλη που τροφοδοτείται με την έναρξη της επόμενης εντολής που μπορεί να είναι είτε για την εγγραφή είτε για την ανάγνωση.

tRAS (Row Address Strobe) – Ο χρόνος από την ενεργοποίηση έως τη προ-φόρτισή της μνήμης. Είναι ο χρόνος που θα περιμένει η μνήμη μέχρι την έναρξη της επόμενης πρόσβασης σε αυτή.

CMD – Το Command Rate, που είναι ο χρόνος που χρειάζεται για να ενεργοποιηθεί ένα από τα memory chips επάνω στο stick. Οι επιλογές είναι δύο, 1T = 1 clock cycle και 2T = 2 clock cycles. Το 1T για πολλές εφαρμογές προσφέρει τις υψηλότερες επιδόσεις.